電腦內(nèi)存和存儲空間的區(qū)別？一、指代不同 1、存儲容量：是指存儲器可以容納的二進(jìn)制信息量，用存儲器中存儲地址寄存器MAR的編址數(shù)與存儲字位數(shù)的乘積表示。2、內(nèi)存容量：是指隨機(jī)存儲器（RAM)的容量，是內(nèi)存條的關(guān)鍵性參數(shù)。二、計算方式不同 1、那么，電腦內(nèi)存和存儲空間的區(qū)別？一起來了解一下吧。
電腦的4G/128G和8G/256G指的是內(nèi)存(RAM)和存儲容量的不同配置。下面是它們之間的區(qū)別和可能對使用的影響：
內(nèi)存(RAM)：4G和8G代表了電腦的內(nèi)存容量。內(nèi)存是用于存儲運行中的程序和數(shù)據(jù)的臨時存儲空間。較大的內(nèi)存容量意味著電腦可以同時處理更多的任務(wù)和更大的數(shù)據(jù)集，提供更流暢的多任務(wù)處理和應(yīng)用程序性能。如果您經(jīng)常同時運行多個大型程序或需要處理大型文件，8G的內(nèi)存可能會更適合您的需求。
存儲容量：128G和256G指的是電腦的存儲容量。存儲容量決定了您可以在電腦上存儲的文件、應(yīng)用程序和數(shù)據(jù)的數(shù)量。較大的存儲容量允許您存儲更多的文件和應(yīng)用程序，但如果您需要處理大量的媒體文件（如高清視頻、音樂等），您可能會需要更大的存儲容量。
使用方面的影響取決于您的具體需求和用途。如果您的使用場景較為簡單，不涉及大量的多任務(wù)處理和大型文件存儲，4G/128G的配置可能足夠滿足您的需求，并且可以提供良好的性能。然而，如果您需要處理復(fù)雜的任務(wù)、大型文件或者運行占用資源較高的應(yīng)用程序，8G/256G的配置可能更適合您，并且可以提供更好的性能和更大的存儲空間。
存儲器，分內(nèi)部存儲器和外部存儲器。 內(nèi)部存儲器就是你說的，也是簡稱的內(nèi)存了。內(nèi)存是用來進(jìn)行運算和控制時的地方。 外部存儲器就是硬盤軟盤（現(xiàn)在沒有了）光盤等等，相當(dāng)于倉庫，是用來保存你的各種資料文件等等
存儲一般是指硬盤，U盤之類可以長期保存文件的東西，而內(nèi)存只是電腦運行時處理數(shù)據(jù)的記憶力，一旦關(guān)了電腦就沒有了。所以存儲比內(nèi)存持久。
內(nèi)存技術(shù)
現(xiàn)如今，無論是手機(jī)還是電腦內(nèi)存都使用了DRAM存儲技術(shù)。DRAM（Dynamic Random Access Memory），即動態(tài)隨機(jī)存取存儲器，最為常見的系統(tǒng)內(nèi)存。DRAM只能將數(shù)據(jù)保持很短的時間。為了保持?jǐn)?shù)據(jù)，DRAM使用電容存儲，所以必須隔一段時間刷新（refresh）一次，如果存儲單元沒有被刷新，存儲的信息就會丟失。
存儲技術(shù)
至于存儲方面，現(xiàn)如今主要包含兩大類技術(shù)：HDD（Hard Disc Drive）和NAND Flash，關(guān)于HDD在這里就不做過多介紹。NAND Flash全名為Flash Memory，屬于非易失性存儲設(shè)備(Non-volatile Memory Device)，F(xiàn)lash的內(nèi)部存儲是MOSFET，里面有個懸浮門(Floating Gate)，是真正存儲數(shù)據(jù)的單元。
數(shù)據(jù)在Flash內(nèi)存單元中是以電荷(electrical charge) 形式存儲的。存儲電荷的多少，取決于圖中的外部門（external gate）所被施加的電壓，其控制了是向存儲單元中沖入電荷還是使其釋放電荷。而數(shù)據(jù)的表示，以所存儲的電荷的電壓是否超過一個特定的閾值Vth來表示。
存儲器，分內(nèi)部存儲器和外部存儲器。內(nèi)部存儲器即內(nèi)存，外存指的是硬盤。你可以百度內(nèi)存和硬盤看看圖片或者通過百度百科了解。
以上就是電腦內(nèi)存和存儲空間的區(qū)別的全部內(nèi)容，你說的空間，應(yīng)該是指存儲器。存儲器，分內(nèi)部存儲器和外部存儲器。 內(nèi)部存儲器就是你說的，也是簡稱的內(nèi)存了。內(nèi)存是用來進(jìn)行運算和控制時的地方。 外部存儲器就是硬盤軟盤（現(xiàn)在沒有了）光盤等等，相當(dāng)于倉庫。
